中金:SiCGaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级

2026-06-30 08:05:37

  中金指出,在AI算力走向高密度、连续满载、强瞬态冲击之后,高压架构是数据中心供电系统发展的确定方向。在硬件技术进步推动下,2026年数据中心高压架构迎来落地元年。中金认为,SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级,SiC有望统领机房侧应用,而GaN有望在机柜内大规模渗透,从灰、白区分界线形成“SiC左,GaN向右”的市场格局,共同受益于数据中心电源方案迭代。

下一篇:中航光电:公司面向算力市场的高速互连、液冷等产品需求饱满
上一篇:商务部部长王文涛与欧委会贸易和经济安全委员谢夫乔维奇共同召开中欧贸易投资磋商机制首次会议
返回顶部小火箭