SK海力士韩国龙仁半导体聚落一期工程（龙仁1号厂）已提前动工，原计划于2025年3月，但因龙仁市政府快速审批，现已于2月底启动。龙仁1号厂预计2027年5月竣工，并将继续建设三座工厂。

　　龙仁半导体聚落总投资9.4万亿韩元，占地126万坪，包括SK海力士工厂、合作园区及基础设施用地等。SK海力士将在此生产新一代DRAM存储器，如高带宽存储器（HBM），以满足未来人工智能（AI）存储器需求。

　　龙仁1号厂还将建设“迷你工厂”，助力韩国材料、零组件、设备中小企业的技术研发。SK海力士计划与50多家相关企业合作，提升韩国半导体生态系统竞争力。

　　此外，SK海力士在韩国清州也在建设HBM生产据点M15X，以扩大产能，预计2025年底竣工。龙仁厂的提前动工，标志着SK海力士在存储器领域的进一步布局。